中國市場更加強大，   鑒于整體代工市場步入佳景。會繼續(xù)努力爭取商機，再創(chuàng)佳績。

   中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”紐約證交所代碼：SMI香港聯(lián)交所代碼：0981.HK今天宣布截至二零一零年十二月三十一日止年度的經審核合并業(yè)績。

   中芯國際財報全文如下：

主要是由于整體晶圓付運量增加所致。二零一零年全年，晶圓總付運量為1,   銷售額由二零零九年的10.704億美元增加45.3%至二零一零年的15.548億美元。985,974片8吋等值晶圓，較去年增加44.3%

利用0.13微米或以下制程技術的晶圓收入所佔百分比在上述兩個期間自47.5%升至54.5%   本公司付運晶圓的平均售價由每片晶圓778美元增加0.6%至每片晶圓783美元。倘剔除DRA M業(yè)務的收益。

而二零零九年則有9.625億美元的虧損凈額。   本公司二零一零年的收入凈額為1400萬美元。

   業(yè)務回顧

但中芯國際按新高管人員的方針，   盡管二零一零年的營商環(huán)境嚴峻。繼續(xù)擴充產品組合與客戶群。本公司仍繼續(xù)受惠于其位于規(guī)模最大、增長最快的中國集成電路市場的戰(zhàn)略性地位，目睹國內穩(wěn)定增長，尤其是振興經濟計劃點燃強勁內需。鑒于本公司業(yè)務于二零一零年開始改善與恢復，加上產能利用率于第四季反彈至 96.8%本公司來自更先進0.13微米及以下制程的收益錄得大幅增長。

   財務回顧

本公司經營活動所得現金為6.946億美元。二零一零年資金開支總計7.28億美元，   二零一零年。主要用于研發(fā)65納米技術、45納米技術及32納米技術以及北京晶圓廠拓展及發(fā)展的12吋先進技術。邁步向前，將繼續(xù)增加資金開支，改善效能，培育創(chuàng)意，空虛財力，維持我繼續(xù)的盈利能力。

   客戶及市場

包括主要的集成設備制造商、芯片設計公司及系統(tǒng)公司。憑藉本公司于中國的戰(zhàn)略優(yōu)勢，   中芯國際的客戶普及全球。年內本公司于大中華市場的業(yè)務增長強勁，對收益總額的貢獻自二零零九年的35%增至二零一零年的39%

北美客戶貢獻收益總額的55%仍屬于中芯國際二零一零年最大的客戶組別，   按地區(qū)收入計算。反映先進制程的強勁增長。于其他地區(qū)，中國外鄉(xiāng)客戶于二零一零年的貢獻收益總額為28%臺灣客戶緊隨其后貢獻11%

消費產品貢獻的收益比例自二零零九年的38%增至二零一零年的40%本公司的北美客戶（包括主要的集成設備制造商及芯片設計公司）對通訊產品（主要為移動電話、網絡及WLA N無線區(qū)域網絡）應用產品）需求強勁，   通訊產品佔貢獻收益總額的49%繼續(xù)成為本公司最大業(yè)務分部。同樣地。而中國客戶則對消費及通訊產品（包括數碼電視、電視機頂盒、移動電話，可攜式媒體播放器(PMP及個人電子助理(PDA 產品）需求強勁。

0.13微米及以下制程的收益自二零零九年的48%增至二零一零年的52%而65納米技術對二零一零年晶圓收益貢獻5%   按技術規(guī)范劃分的收益方面。

45納米低功耗技術開發(fā)如期進行，另外。本公司同時將技術供應擴展至40納米，另外擴充至包括55納米。

本公司新增41名客戶，   二零一零年。大部分新客戶為中國的芯片設計公司，本公司營收因此錄得高速增長。尤其是無論按收益計算，抑或按採用先進技術的新產品（局部為65納米技術）數量計算，本公司的中國業(yè)務一直穩(wěn)步增長。此項趨勢亦顯示，中國的創(chuàng)新與設計能力正以高速趕上世界各國。中國的芯片設計公司中，具備創(chuàng)新設計與產品且潛力優(yōu)厚的一眾新星繼續(xù)呈現，本公司為該等公司提供多款應用技術，包括CMOS圖像感應器(CISCMMB移動電視、高清電視、RFID無線產品及其他產品。為達到此項目標，中芯國際維持與中國現有客戶及新增客戶一貫合作許諾，進而紥穩(wěn)作為市場上領先代工企業(yè)的地位，與此同時，本公司將繼續(xù)拓展全球市場。

   研發(fā)

佔本公司銷售額11.2%   本公司二零一零年的研發(fā)開支為1.749百萬美元。

中芯國際向格科微電子以CMOS圖像傳感器加工技術交付10萬片8吋晶圓。Synopsi于5月宣布開始提供用于65納米低漏電工藝技術的經硅驗證和獲得USB標志認證的DesignWareUSB2.0nanoPhi知識產權。此外，   研發(fā)工作主要集中于本公司的邏輯晶圓及系統(tǒng)晶片(SOC業(yè)務。中芯國際于二零一零年開創(chuàng)多個重要里程碑。年初。本公司與領先芯片設計公司合作無間，共同研發(fā)65納米及40納米的低漏電工藝技術。至于系統(tǒng)晶片(SOC之技術，ARM與中芯國際協(xié)定在65納米和40納米低漏電工藝節(jié)點上合作開發(fā)先進的ARM領先物理IP庫平臺。65納米低漏電工藝已勝利步進量產階段，自二零零九年第三季度量產開始，累計已付運晶圓超過1萬片，大多在其北京300mm芯片廠生產。

具備半導體行業(yè)經驗與全球及中國著名大學學府高等學位。   本公司聘用約超過451名研發(fā)人員。

   二零一一年展望

鞏固了本公司整體的基礎，   代工市場不時增長。故此本公司二零一一年的前景相當樂觀。

本公司錄得凈收入及經營收入，   二零一零年。兩者均轉負為正。展望未來，致力維持可持續(xù)的盈利能力。產品組合不時優(yōu)化，65納米的產能繼續(xù)提升，客戶趨向需求平均售價較高技術更先進的制程。二零一一年，資金開支主力用于生產需求殷切且平均售價較高的12吋晶圓。